DCM™1000电源模块技术平台

最大限度地发挥Si和SiC电源模块的潜力

为了给快速增长的混合动力汽车、插电式混合动力车和纯电动汽车提供动力,丹佛斯开发了一种用于牵引应用的电源模块技术平台DCM™1000。

由于硅(Si)和碳化硅(SiC)是电源模块的主要成本动因,我们的DCM™1000平台通过结合我们的专利技术,旨在减少半导体表面。

你的DCM™1000的好处

可定制到您的确切需要

结合获得更高性能的技术

最大限度地发挥Si和SiC的潜力

可跨电压等级扩展

DCM 1000电源模块技术平台

DCM™1000技术平台手册

关于DCM™1000的常见问题

首先,DCM™1000指的是提供封装尺寸,以组装一个1000mm²的半导体区域。

其次,额定电流很大程度上取决于所应用的边界条件,如冷却参数和直流连接电压。DCM™1000的当前额定值考虑了客户侧的额定工作点。

通过调整芯片含量和DBC基板材料,我们能够在DCM™1000封装中提供几种功率级别。这使得客户可以使用具有相同外部尺寸的牵引逆变器,不同的输出功率,而不需要重新设计。这包括DCM™1000 (750V)和DCM™1000X (1200V)。后缀“X”代表扩展间隙和爬电距离应用高达1000V直流链路电压。然而,DCM™1000和DCM™1000X都可以利用碳化硅mosfet。

DCM™是一个技术平台,这意味着所有类型的汽车合格半导体都可以封装。对于400V和800V的传动串逆变器,通常可以组装Si igbt和SiC mosfet。可以使用先进的粘结和连接技术,如DBB®与铜线粘结或铜带粘结。

丹佛斯拥有独特的商业模式,芯片独立是其主要支柱之一。这意味着我们可以自由选择功率半导体。当然,即使是为相同的功率级别设计,不同制造商的半导体在诸如内部栅极电阻、栅极电荷甚至击穿电压等方面也有所不同。对于许多供应商来说,这可以挑战逆变器的设计。

然而,我们已经彻底评估了差异,并可以在逆变器和驱动板的设计期间充分支持客户,当涉及到改变偏爱的半导体制造商或如果第二源方法是需要的。此外,低于7nH的低模块杂散电感允许使用具有不同击穿电压的不同半导体。

模块被安装到冷却器上,使用固定支架直接拧到冷却器上。支架与底板顶部的可用区域直接接触,如图2所示。有不同的概念,可以应用足够的压力,密封垫片位于靠近每个半桥架的订单。

丹佛斯建议在电源模块的每一侧使用两个M4螺钉或一个M5螺钉。在使用铝冷却器的先进设计中,螺钉总数可以减少到4个,而不是典型的6-in-1模块设计中的8个。

DCM™平台的冷却概念利用了专利的showpower®3D冷却技术。电源模块的底板上有蜿蜒的通道引导冷却剂,并产生强大的涡流效应,将边界层冲走,从而使冷却效率最大化。尽管存在涡流效应,但由于流动是层流的,因此压降非常低,主要受冷却器进出口设计和绕过结构底板的旁路的影响。最终的热阻与所选的功率等级有关,即硅面积和基板材料。客户根据DCM™1000电源模块的接口设计冷却器的浴缸。

丹佛斯可以提供所有必要的图纸和参考设计从我们的应用套件。

在牵引逆变器的早期开发过程中,客户将需要一套完整的材料用于设计目的,并在运行期间评估电源模块的性能。因此,丹佛斯提供了数据表、模块的CAD文件、包括冷却器接口的图纸和详细的应用说明。为了使测试变得快速和简单,我们提供了一个应用套件,包括直流连接电容器、驱动板和冷却,提供了在实验室直接测试DCM™1000模块的可能性。

电源模块

SiC和IGBT电源模块

丹佛斯工程师定制SiC和IGBT电源模块,帮助您满足严格的可靠性、设计和成本目标。